קולט/מגש גרפיט

שלח החקירה
קולט/מגש גרפיט
פרטים
אנו מתמחים בייצור מגשי קולטי גרפיט, גרפיט בדרגת מוליכים למחצה-, קולטים מצופים CVD SiC, מנשאי פרוסות, מגשי גרפיט אפיטקסי, קולטי גרפיט איזוסטטיים וגרף בטוהר- גבוה עבור מוליכים למחצה.
סיווג המוצר
תבנית גרפיט
Share to
תיאור
Fuel Cell Bipolar Plate

בסיס/מגש הגרפיט הוא רכיב תמיכה וחימום ליבה בייצור מוליכים למחצה, המשמש לתמיכה בפרוסות ולהשגת פיזור חום אחיד במהלך תהליכי-טמפרטורות גבוהות כגון CVD, PVD, תחריט וצמיחה אפיטקסיאלית. תוך שימוש במצע גרפיט איזוסטטי בטוהר אולטרה-גבוה-ושילוב טכנולוגיות ציפוי מתקדמות (כגון SiC, TaC, BN וכו'), הוא מבטיח יציבות מבנית, אינרציה כימית ואחידות שדה תרמית בסביבה קיצונית של 1000-1800 מעלות. זהו מרכיב מפתח להבטחת תפוקת וביצועים של פרוסות.

 

שכבת מבנה סוג חומר פרמטרים טכניים פונקציית ליבה
מצע גרפיט איזוסטטי-בטוהר גבוה טוהר גדול או שווה ל-99.9995% (5N-6N), צפיפות 1.85-1.95g/cm³, מבנה גרגירי עדין (פחות או שווה ל-50μm) לספק מוליכות תרמית גבוהה, מקדם התפשטות נמוך וביצועי עיבוד מעולים
שכבת מעבר (אופציונלי) בורון ניטריד (BN)/סיליקון ניטריד (SiNₓ) עובי 5-15μm, אחיד וצפוף שפר את הדבקת הציפוי והקל על חוסר התאמה של התפשטות תרמית
ציפוי פונקציונלי סיליקון קרביד (SiC)/טנטלום קרביד (TaC) עובי 80-150 מיקרומטר, צפיפות גדולה או שווה ל-99.9% מציעים אינרטיות כימית, עמידות בפני שחיקה ובקרת זיהום
טיפול פני השטח ליטוש/טקסטורה מדויקת חספוס פני השטח Ra פחות או שווה ל-0.8μm ודא התאמת רקיק ואחידות הטמפרטורה
Fuel Cell Bipolar Plate

 

 

 

קולט רקיק בודד
יישום: תהליכים מתקדמים לגידול אפיטקסיאלי של 8/12 אינץ', SiC/GaN
מאפיינים: עיצוב משולב, מובנה-בחריצי מיקום מדויקים, הבדל טמפרטורת-מרכזי בקצה קטן או שווה ל-±1.5 מעלות
יישומים אופייניים: ציוד MOCVD-מתקדם כגון ASM, Applied Materials
מגש ריבוי-ופל
מפרט: 6/8 אינץ', מסוגל להחזיק 4-12 פרוסות
מאפיינים: עיצוב בקרת טמפרטורת אזור, מיקום פרוסות עצמאי, ערוצי זרימת אוויר אופטימליים
יישומים אופייניים: ייצור המוני תנורים אפיטקסיאליים, ייצור שבבי LED

Fuel Cell Bipolar Plate
Graphite Container for Negative Electrode Material

 

 

בסיס -סוג חבית (סולם חבית)
מבנה: גלילי/צורת טבעת-, לטעינה אנכית של פרוסות
מאפיינים: ניצול שטח יעיל, פיזור זרימת אוויר אחיד, מתאים לייצור המוני
יישומים אופייניים: כורי LPE, תהליך אפיטקסיאלי רב גבישי
מגש צף-אוויר (מגש צף אוויר)
חדשנות:-ערוצי זרימת אוויר-מובנים, המאפשרים העברת ופל ללא מגע
יתרונות: אפס זיהום חלקיקים, רקיק ללא לחץ מכני, מתאים לפרוסות דקות / גמישות במיוחד-
יישומים טיפוסיים: התקני כוח SiC, ייצור חיישנים-מתקדמים

תהליך ייצור

 

התאמה אישית של חומר גלם -טוהר גבוה: בחר גרפיט פתיתים טבעי, עבר טיהור כימי + גרפיטיזציה בטמפרטורה- גבוהה להסרת זיהומי מתכת לרמת ppb
לחיצה איזוסטטית: השתמש בטכנולוגיית כבישה איזוסטטית קרה (CIP), בלחץ של 300-500 MPa, ללחיצה בכיוון מלא, המבטיחה שגיאה אנזוטרופית פחות או שווה ל-3%
גרפיטציה-בטמפרטורה גבוהה: טיפול גרפיטיזציה ב-2800-3000 מעלות, שיפור הגבישיות והמוליכות התרמית, הפחתת ההתנגדות ל-10-15 μΩ·m
עיבוד CNC מדויק: מרכז עיבוד של חמישה-צירים联动, השגת מבנים מורכבים כגון תעלות זרימה, חריצי מיקום וחורי אוורור, עם סובלנות מימדית של ±0.01 מ"מ

Horizontal Continuous Casting Graphite Mold

 

שדות יישום מיוחדים

 

אריזה מתקדמת: תהליך TSV (Silicon Through Hole) המשמש לתמיכה וחימום של פרוסות, המבטיח אחידות של חורים ביחס גובה-רוחב גבוה
התקני כוח: תהליך אפיטקסי SiC בייצור IGBT ו-MOSFET, המחייב מצע לעמוד ב-1600 מעלות + טמפרטורות גבוהות
אופטו-אלקטרוניקה: אפיטקסית GaAs/InP בייצור VCSEL וגלאים, הדורשת זיהום נמוך במיוחד ואחידות טמפרטורה גבוהה
MEMS: תהליך-התצהיר בטמפרטורה גבוהה בייצור מיקרו-אלקטרומכניות, שולט במדויק על חלוקת המתח של הסרט
מכשירים קוונטיים: דרישות טוהר-גבוהות במיוחד (פחות או שווה ל-1ppm זיהומים) בייצור שבבים מוליכים-על וייצור נקודות קוונטיות, פתרונות ציפוי מותאמים אישית

Graphite Crystallizer For Horizontal Continuous Casting
198

תיאורי מקרה להצלחת לקוחות

 

יצרן בינלאומי מוביל של מכשירי כוח SiC: לאחר אימוץ מצע ציפוי TaC, שיעור הפגמים של הפרוסה האפיטקסיאלית ירד ב-42%, ויעילות הייצור עלתה ב-25%
מפעל שבבי LED ביתי מוביל: שימוש במגשים מרובים-מצופים SiC, קצב פעולת הציוד עלה ב-30%, ועלות התחזוקה השנתית ירדה ב-50%
מוסד מחקר MEMS אירופאי: בסיס אוויר צף-מותאם אישית פתר את הבעיה של עיוות רקיק דק, ומחזור המחקר והפיתוח קוצר ב-6 חודשים

פָּרָמֶטֶר יְחִידָה קולט רקיק בודד (8 אינץ') מגש-רבים (6", 6 חתיכות) קולט חבית מגש צף אוויר (SiC)
חומר בסיס - גרפיט איזוסטטי-בטוהר גבוה (5N) גרפיט איזוסטטי-בטוהר גבוה (5N) גרפיט-בצפיפות גבוהה (6N) גרפיט דק במיוחד-(6N)
סוג ציפוי - CVD SiC CVD SiC + BN Interlayer CVD SiC CVD TaC
עובי ציפוי μm 100-120 80-100 120-150 90-110
טוהר (סה"כ) % גדול או שווה ל-99.9995 גדול או שווה ל-99.999 גדול או שווה ל-99.9999 גדול או שווה ל-99.9999
צְפִיפוּת g/cm³ 1.90-1.95 1.88-1.92 1.92-1.96 1.93-1.97
מוליכות תרמית W/m·K 250-280 220-250 200-230 270-300
טמפרטורת פעולה מקסימלית תוֹאַר 1700 (אינרט) 1600 (אינרט) 1800 (אינרט) 1650 (אינרט)
אחידות טמפרטורה % ±1.0 ±1.5 ±2.0 ±0.8
חספוס פני השטח (Ra) μm פחות או שווה ל-0.5 פחות או שווה ל-0.8 פחות או שווה ל-1.0 פחות או שווה ל-0.3
סובלנות מימדית מ"מ ±0.01 ±0.02 ±0.03 ±0.008
תוחלת חיים טיפוסית מחזורים 2500+ 2000+ 1800+ 3000+
תאימות לגודל רקיק אִינְטשׁ 8 6 (6 חתיכות) 4-6 (12 חתיכות) 8

תגיות פופולריות: מגש/מגש גרפיט, יצרנים/מגשי גרפיט גרפיט, ספקים, מפעל

שלח החקירה