במהלך תהליך צמיחת הגביש, אלקטרודות הגרפיט נשארות בסביבת ואקום של ארגון בטמפרטורות הנעות בין 1420 ל-1650 מעלות צלזיוס. הנקבוביות הפנימיות של גרפיט רגיל עדיין מכילות שאריות אדי מים, חומרים נדיפים אורגניים וזיהומים עקבות של בורון וזרחן. חומרים אלו משחררים גזים ללא הרף, המזהמים את נמס הסיליקון וגורמים לסחיפת ההתנגדות של פרוסות הסיליקון, לצפיפות נקע הגבישים להמריא ולירידה משמעותית בתפוקת הסוללות/שבבים. מוצר זה עובר טיפול מקדים לסילוק גז בוואקום ב-1600- מעלות-לטווח ארוך, ומסיר לחלוטין את הרכיבים הנדיפים החופשיים הפנימיים. קצב פליטת הגז הכולל נמוך בסדר גודל של 10⁻¹⁰ Pa・m³/s. תכולת זיהומי הבור והזרחן היא פחות או שווה ל-0.01 ppm. הוא מתאים לסיליקון חד-גביש פוטו-וולטאי בגודל 12-אינץ', סיליקון לזיקוק אזור מוליכים למחצה בגודל 8 אינץ', וקווי ייצור של מצעי סיליקון קרביד לצמיחת גבישים. זהו חומר מתכלה לתחום התרמי בייצור חומרי סיליקון פוטו-וולטאיים ומוליכים למחצה.

CZ פוטו-וולטאי מושך סיליקון מונו-גביש לייצור המוני (נרכש בעיקר על ידי מפעלים פוטו-וולטאיים בחו"ל)
מתאים לתנורים חד-גבישיים עם 12-12 אינץ' גדולות בגודל {{2}, עם מחזור התגבשות ארוך של עד 120-180 שעות. האלקטרודות שומרות על יצירת חום יציבה לאורך כל התהליך, ללא כל שחרור גז פתאומי המפריע להסעה של נמס הסיליקון. תהליך הפסיבציה של מיקרו-איטום החורים מאומץ, כאשר הנקבוביות הזעירות על פני הגרפיט נאטמות בשכבת פחמן אחידה וצפופה, המונעת קורוזיה של חדירת אדי סיליקון מתחת לאטמוספרת הארגון. על פני האלקטרודה אין אבקה או נשירת חלקיקי פחמן, הימנעות מזיהומי פחמן מוגזמים בחומר הסיליקון.
תכולת זיהומי הבור והזרחן נשלטת בקפדנות, ומבטלת את הסטייה של טווח ההתנגדות של פרוסות סיליקון מסוג N-type / P-. משרעת התנודות של אורך חיי נושא המיעוט של הגביש היחיד לכל אצווה נשלטת בתוך ±3μs, בהשוואה לאלקטרודות גרפיט רגילות, תפוקת הגביש הבודד עולה ב-12%-18%. שגיאת האחידות של התנגדות האלקטרודה היא פחות או שווה ל-0.3μΩ・m, הפרש טמפרטורת השדה התרמי בתוך הכבשן מתייצב על ±4 מעלות, מה שמבטיח שהשיעור של קטע הקוטר הקבוע של מוט הסיליקון גדול או שווה ל-92%, מה שמפחית משמעותית את אובדן חומר הגלם.

מוליך למחצה FZ אזור נמס ברמת -שבב סיליקון ברמת טוהר גבוהה-יישום ברמת

עבור תנאי גידול של 8-אינץ' ואזור קטן יותר הממיס סיליקון בטוהר גבוה- (9N - 11N אולטרה-טוהר סיליקון גבוה), מוצר זה תואם לתקן SEMI F63 גרפיט נקי מוליכים למחצה. התהליך כולו ללא דבקים אורגניים ולכלוכים נדיפים המכילים גופרית. התוכן הכולל של זיהומי מעבר מתכת Fe/Ni/Cu קטן או שווה ל-0.2 ppm. מאפיין הפליטה הנמוך יכול לשמור על דרגת הוואקום בכבשן יציבה ב-10⁻⁷ Pa ומעלה, וכמות השחרור הנדיפה נמוכה מזו של מוצרים סטנדרטיים בתעשייה ב-90%. זה מונע לחלוטין פגמים כמו דליפת שבב ומתח פירוק לא מספיק הנגרם על ידי זיהומים עקבים.
ניתן להתאים אותו עם מבנה אלקטרודה מקורר- במים חלולים. במהלך צמיחת גבישים, הטמפרטורה של גוף האלקטרודה מופחתת ב-300 מעלות, מה שמדכא עוד יותר פליטת-טמפרטורות גבוהות והתאמה לייצור התכה של אזור מתמשך- גבוה. ניתן להשתמש באלקטרודה בודדת ביציבות עבור יותר מ-600 תנורים, ועומדת בדרישת הייצור המתמשכת של מפעלי מוליכים למחצה.

ערכת צמיחת גביש משטחי סיליקון קרביד לפחמימות SiC (התחום המתפתח של הדור השלישי למוליכים למחצה-)

טמפרטורת הגידול של SiC היא עד 2100-2400 מעלות. בטמפרטורות כה גבוהות, גרפיט רגיל נוטה לשחרר גזי CO ופחמימנים, אשר עלולים לפגוע בשלמות סריג ה- SiC. מוצר זה עובר עיבוד כפול של 2700 מעלות אולטרה-בטמפרטורה גבוהה גרפיטיזציה והסרת גז בוואקום. הכמות הכוללת של החומרים הגזים המשתחררים בטמפרטורות גבוהות היא נמוכה ביותר. יש לו גם את היכולת לעמוד בפני קורוזיה של אדי פחמן-בטמפרטורה גבוהה במיוחד-, בעל מקדם התפשטות תרמית נמוך במיוחד, ואינו מראה סדקים או עיוות במהלך מחזורי חימום וקירור מחזוריים של 2400 מעלות.
ניתן להתאים את האלקטרודות לגדלים לא-סטנדרטיים של תנורי צמיחת גבישי PVT SiC אנכיים ולתמוך בחיבורי איטום עם הברגה מפולחים. תנודות ההתנגדות למגע בנקודות החיבור קטנות ביותר, אין נקודות פליטה מקומיות של התחממות יתר, וניתן לייצר מצעי SiC יציבים-פגמים- בצפיפות נמוכה.

טכנולוגיית עיבוד בלעדית מובחנת (נבדלת לחלוטין מאלקטרודות גרפיט ואקום רגילות)

1. בחירת חומר גלם: בחר גרפיט איזוטרופי (D50=5מיקרומטר) אולטרה-עדין-, עם חומר נדיף מקורי קטן או שווה ל-0.03%, תוך הפחתת בסיס הפליטה מהמקור;
2. הסרת ואקום רב רמות -: בידוד ואקום באווירה אינרטית ב-1600 מעלות למשך 72 שעות, שכבה אחר שכבה מסירה אדי מים, פחמימנים חופשיים וזיהומים מסיסים בנקבוביות;
3. איטום מיקרו-פסיבציה של נקבוביות: שקיעת אדים כימית בטמפרטורה-נמוכה של שכבת פחמן דקה למילוי מיקרו- נקבוביות פני השטח, חוסמת את תעלות השחרור של חומרים נדיפים פנימיים כלפי חוץ;
4. עיבוד מדויק ללא מאמץ-: חיתוך חוט איטי + סיבוב במראה CNC, ללא עיבוד סדקים, ללא נקבוביות פני השטח, ביטול תעלות פליטה חדשות לאחר עיבוד;
5. בדיקה לא-הרסנית: כל אלקטרודה משלימה זיהוי הליום של קצב גז הפליטה, בדיקה מלאה של זיהומי ICP-MS וזיהוי אחידות קצב ההתנגדות, בליווי דוח בדיקה ברמת המוליך למחצה- לייצוא.

ביצועי פליטה נמוכים במיוחד ברמת-מוליכים למחצה{{1}

קצב הפליטה הכולל במצב צמיחת גבישים של 1600 מעלות הוא פחות מ-8×10⁻¹⁰ Pa·m³/s, שחרור רכיבים נדיפים פחמימנים הוא פחות מ-0.01 ppm, שהוא נמוך ב-95% מזה של אלקטרודות גרפיט ואקום קונבנציונליות, וזה מבטל לחלוטין את זיהום הגז של סיליקון.
בקרה קפדנית ביותר על זיהומי בורון וזרחן (בעיית ליבה של גביש יחיד)
בורון פחות או שווה ל-0.01 ppm, זרחן פחות או שווה ל-0.01 ppm, ללא הפרעות סימום, האחידות של התנגדות פרוסות סיליקון משופרת ב-40%, מתאימה לייצור סינכרוני של סיליקון יחיד גבישי מסוג N/P.
נשיפה נמוכה ללא מבנה זיהום פחמן
טיפול מיקרו-איטום ופסיבציה של נקבוביות, הנקבוביות מצטמצמת מתחת ל-0.12%, במהלך תהליך צמיחת הגבישים, אין נשירה של אבקת גרפיט, תוספת זיהומי הפחמן בהמסת הסיליקון היא פחות מ-0.02 ppm, העומדת בסטנדרטים של סיליקון/סיליקון למחצה בטוהר גבוה- עבור פוטו-וולדוקט.
שדה חום מוליך יציב-לטווח ארוך
התנגדות טמפרטורת החדר היא 4.5-5.2 μΩ·m, השגיאה האחידה של התנגדות האלקטרודה כולה היא פחות או שווה ל-0.3 μΩ·m, פעולה רציפה ב-1650 מעלות למשך 180 שעות ללא סחיפה של התנגדות, הפרש הטמפרטורה של שדה החום קטן או שווה ל-4 מעלות ±.

למה לבחור בנו?

קו ייצור מיוחד לסיליקון חד גבישי, עם תהליך הסרת גז ממוקד
2. מערכת בקרת זיהומים ממדיים מקיפים בדרגת מוליכים למחצה-
3. יכולת התאמה אישית-באחת להתאמה לתנורי -הגביש היחידים ברחבי העולם
4. שיפור תפוקת ייצור המוני עם תמיכה טכנית תומכת
5. משלוח יצוא יציב וכישורי יצוא מלאים. תמיד יש לנו במלאי מוצרים פוטו-וולטאיים יחידים-סטנדרטיים-בגודל-, וניתן לספק פריטים בהתאמה אישית- תוך 7-12 ימים.

טבלת פרמטרים טכניים למוצר

לֹא.	פריט בדיקה	סיליקון קריסטל נמוך גז גרפיט אלקטרודה תקן	שיטת איתור בדיקה
1	דרגת חומר גלם	גרפיט עדין-תלת מימד איזוסטטי מוליכים למחצה (D50=5מיקרומטר)	מנתח לייזר גודל חלקיקים
2	תוכן פחמן קבוע	גדול או שווה ל-99.9998%	מנתח פחמן בעירה-בטמפרטורה גבוהה
3	תוכן אפר כולל	פחות או שווה ל-2 עמודים לדקה	ICP-MS Full Element Detection
4	תוכן טומאה בורון	פחות או שווה ל-0.01 עמודים לדקה	ספקטרומטריית מסה פלזמה בשילוב אינדוקטיבי
5	תוכן טומאה זרחן	פחות או שווה ל-0.01 עמודים לדקה	ICP-MS Ultra-בדיקת אלמנטים עקבות
6	טומאת מתכת מעבר כוללת (Fe, Ni, Cu, Cr)	פחות או שווה ל-0.2 עמודים לדקה	סריקת ICP-MS Multi-אלמנטים
7	קצב הוצאת גז כולל (1600 מעלות, ואקום)	＜8 × 10⁻¹⁰ Pa·m³/s	בודק דליפת ואקום הליום
8	שחרור פחמימנים נדיפים	＜0.01 עמודים לדקה	מבחן ספיגה תרמית GC-MS
9	עמידות בטמפרטורת החדר	4.5 – 5.2 μΩ·m	מד התנגדות בדיקה של ארבע-נקודות
10	סטיית אחידות התנגדות	פחות או שווה ל-0.3 μΩ·m	סריקת התנגדות מרובה-נקודות גבוהה-
11	צפיפות בצובר	1.88 - 1.91 גרם/ס"מ³	מבחן צפיפות ארכימדס
12	נקבוביות פנימית	＜0.12 %	פורוזימטריה של חדירת כספית
13	מקדם התפשטות תרמית (25-1600 מעלות)	2.6 × 10⁻⁶/מעלה	דילטומטר-בטמפרטורה גבוהה
14	מחזורי עמידות בפני הלם תרמי (1650 מעלות ↔ RT)	גדול או שווה ל-900 מחזורים ללא סדק	בדיקת יישון תנור במחזור תרמי
15	חיי שירות רציפים (משיכת סיליקון CZ)	500+ קבוצות צמיחת גבישים	בדיקת הזדקנות בפועל של תנור
16	טווח טמפרטורות עבודה	1420 - 2400 מעלות (אטמוספירת ואקום ארגון)	בדיקת יציבות בטמפרטורה גבוהה
17	טיפול פני השטח	Micropore איטום וציפוי פחמן פסיבציה	מד פרופיל של חספוס פני השטח (Ra פחות או שווה ל-0.6μm)
18	מבנה זמין בהתאמה אישית	מוט מוצק / מים חלולים-מקורר / מפרק עם הברגה מפולח / חריץ מיוחד	ציור עיבוד בהתאמה אישית CNC

תגיות פופולריות: אלקטרודות גרפיט עם יציאת גז נמוכה לצמיחת גבישי סיליקון, סין אלקטרודות גרפיט עם יציאת גז נמוכה לצמיחת גבישי סיליקון יצרנים, ספקים, מפעלים

אלקטרודות גרפיט עם יציאת גז נמוכה לצמיחת קריסטל סיליקון

אולי גם תרצה

שלח החקירה